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东芝推出新一代Super Junction功率MOSFET-TK040N65Z

 2018-09-26

东芝推出新一代Super Junction功率MOSFET

进一步提升电源供给系统效率 -

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东芝电子元件及储存装置株式会社(东芝)推出新一代650V Super Junction功率MOSFET – TK040N65Z其用于资猜中心的处事器电源、太阳能(PV)功率调节器、不竭电系统(UPS)及其他工业应用。此IC已最先量产出货。

TK040N65Z为东芝DTMOS VI系列首款650V元件,支援57A持续汲极电流(ID)及228A脉冲电流(IDP)。提供0.04Ω(0.033Ω典型值)的超低汲源极导通电阻RDS(ON),以减少电源应用的损耗。更低的电容设计,使其IC成为现代高速电源应用首选元件。

改善并压低主要性能系数- RDS(ON) x Qgd,电源效率随之提高。相较于上一代DTMOS IV-H产物,TK040N65Z在此系数降低了40%,暗示在2.5kW PFC电路效率表示大将会显著地上升0.36%[1]

新产物为工业尺度TO-247封装,不论在传统设计或是新应用上皆便于使用。

 

产物特点

-             降低RDS(ON) × Qgd减少切换耗损进而提升效率

 

应用方面

-             数据库(处事器电源供给等)

-             太阳能发电机功率调节器

-             不竭电系统

 

产物规格

产物型号

TK040N65Z

封装

TO-247

绝对最大额定值

Drain-source voltage VDSS (V)

650

Drain current (DC) ID (A)

57

最大导通电阻 RDS(ON) max @VGS= 10V (Ω)

0.040

Total gate charge Qg typ. (nC)

105

Gate-drain charge Qgd typ. (nC)

27

输入电容 Ciss typ. (pF)

6250

[1] 此数值由东芝测试于2018年6月(2.5kW PFC线路,输出为2.5kW)

 

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